中频电源，晶闸管、IGBT、KGPS有什么区别联系？

fantasy027

最近接触了不少中频设备，但是不了解其中的区别，请各位系统的介绍一下
并说说优缺点，听老同志说老设备占地大什么的，中频电源，晶闸管、可控硅、IGBT、KGPS有什么区别联系？请介绍一下 谢谢。

[ 本帖最后由 fantasy027 于 2008-12-17 19:17 编辑 ]

fzduolin

目前中频电源一般有两种:
1.可控硅中频电源,也就是楼主所说的晶阐管,KGPS.这类电源的优点是技术成熟,质量可靠,价格便宜,缺点是电效率相比IGBT中频电源低10-20百分点,另外整流部分的谐波对用户电网系统有影响,严重时会损坏电网内其它设备.
2.IGBT中频电源,这类电源在国内开发周期不长,优点是电效率高,一般可达百分90以上,故比可控硅电源节电10-20百分点,对电网的影响很小,缺点是质量相对不太稳定,价格高.

fantasy027

谢谢3楼
我还想知道，这2种设备，哪个占地比较大？中频的设备都不需要屏蔽吧？

zhangguo314

三楼的解释的很对
这二种设备的占地面积，具体说是体积吧
1.可控硅中频电源,也就是楼主所说的晶阐管,KGPS ，这种同功率比较相对来说体积会比 2种IGBT中频电源大一些
其实大多数IGBT的感应设备，频率都在10KHZ以上，而可控硅中频设备频率都在10KHZ以下
中频的设备，虽然会对人身体有很少影响，但是基本上都不用屏蔽，这就像电脑和手机对人一样，也有影响，可是大多人都在用它

fantasy027

哦，IGBT的体积小点，效率高点，
另外我搜到这个，原来IGBT是属于晶体管高频电源的？

3.1机械式中频发电机
    机械式中频发电机大约在1920年研发成功，当年美国俄亥俄州的克拉克公司首先将其用于曲轴轴颈的淬火，这是最早用于工业生产的中频电源。它的最大优点是耐用，除工作几年要更换轴承外，几乎不需要维修保养。它的缺点是频率固定，使用范围受到限制；占地面积大；噪音大；耗水量大；电效率较低，约为70~75%左右[2]。
    2.2电子管高频电源
    电子管高频电源大约诞生于1930年左右。它的主要优点是调谐简单、使用方便，尽管频率高（后开发出超音频），应用范围还是较宽的（在不讲究加热效率的情况下）。它的主要缺点是电效率低，约为50%左右；工作电压太高，安全性差；单机功率小等[2]。
    2.3晶闸管（SCR）式中频电源
    晶闸管（SCR）中频电源亦称可控硅中频电源，这种电源国际上约在1970年左右研制成功，并开始大量使用。我国约在80年代研制成功并开始试用。90年代初完全成熟，某些技术指标已经达到国际先进水平。感应淬火用的晶闸管中频电源频率一般为2.5~8kHz。它与机式中频相比具有很多优点：体积小，重量轻；无机械运动，噪音小；启动停止方便，频率可以根据零件需要调整，并在运行中自动跟踪，保持在最高的功率因数下运行；安装容易，不需要特殊基础；淬火设备的单机功率可达1000kW；电效率可达90%[2]。
    2.4晶体管超音频和高频电源
    晶体管超音频和高频电源一般指：（1）IGBT超音频电源、MOSFET高频电源和SIT高频电源。晶体管超音频和高频电源国际上大约在20世纪70年代中后期先后开发成功。我国在90年代开发成功。目前国产IGBT电源已很成熟，我公司生产的IGBT电源的某些指标已经达到国际先进水平：频率8~50kHz功率可达500kW、频率50~100kHz功率可达200kW。国产MOSFET做到200kHz、100kW。SIT高频电源国内已生产了几十台，但由于备件缺乏，已经逐渐报废。SIT电源因单管功率小等缺点很难克服，国外公司已经停止研发和生产。晶体管电源优点与晶闸管电源的优点相同或相近，但其频率可做到几百千赫。

能不能这么说：现在常用有电子管电源、晶闸管、晶体管三代产品吧

[ 本帖最后由 fantasy027 于 2008-12-17 22:48 编辑 ]

snowya

上世纪50年代前：中频发电机组和电子管振荡器式高频电源。
上世纪50年代末：出现硅晶闸管（可控硅）技术，感应加热电源及应用得到了飞速发展。
上世纪80年代开始：晶体管全固态电源逐步取代了传统电子管电源
现阶段电源主流：SIT（静电感应管）、MOSFET（场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型功率管 ）做为逆变输出的关键部件。
在中低频（100KHZ以下）频段：
1983年美国GE公司发明了IGBT，它综合了MOS管与双极晶体管的优点，因此在其通态压降低的同时开关速度加快。已成为众多加热电源的首选器件 。
EFD公司IGBT电源可以达到350KHZ，国内感应加热电源在中频频段主要采用晶闸管，超音频频段主要采用IGBT，最高只能达到100KHZ（据说一般的只能做到60khz）。
在高频（100kHz以上）频段 ：
国外以模块化、大容量化MOSFET功率器件为主， 日本以SIT为主，SIT开关速度比MOSFET慢，同时它存在很大的通态损耗，随着MOSFET、IGBT性能不断改进，SIT正失去它存在的价值。国内目前MOSFET固态高频电源制造水平为400kW、500kHz。总的来说，与国外的水平有一定的差距。

现在国外已经淘汰可控硅逆变了，国内对于IGBT的应用不是很深，有的还在用可控硅。

另外，感应电源是调节工频三相电为高频（根据实际需要）单相电，这个调节过程为：整流——平波——逆变——LC输出，所谓的可控硅和IGBT指的是逆变部分的应用，整流部分国内外各厂家至今还在使用二极管或可控硅。

中频电源，晶闸管、可控硅、IGBT、KGPS有什么区别联系？

根据以上，中频电源只能跟高频电源、低频电源、工频电源有区别，具体分类论坛里很多帖子有提到。
可控硅和晶闸管是一码事，通可以由门信号控制，通后，门失效，不能控制断（断只能给一个反向电压）。IGBT的门可以控制通也可控制断。这通通断断的，在逆变过程中，频率的高中低就出来了。

我也是刚入行，可能理解的有误，做个参考。

[ 本帖最后由 snowya 于 2008-12-23 17:31 编辑 ]

xxl1974

IGBT是个自关断元件，频率范围比较宽广；可控硅频率范围通常在8000HZ以下。

lwmt

先谢谢了。

fantasy027

再次遇到这个问题  又回来看看  谢谢7楼的介绍  目前需要选一个250kHz左右的电源 不知道该选IGBT 还是MOSFET。。。。

cosmo4411110

进口设备的话 选用IGBT的 技术成熟 国内厂家IGBT一般只做到100Khz左右
国产设备 选用Mosfet 国内能成熟的满足你250Khz的要求

显示器

K、G、P、S都有不同的含义的

杨文松111

KGPS.这类电源的优点是技术成熟,质量可靠,价格便宜,缺点是电效率相比IGBT中频电源低10-20百分点,另外整流部分的谐波对用户电网系统有影响