SKH51材料（回火温度在550~570），QPQ工艺，如何避免白亮层的产生；

zhu9wei · 发表于 2014-3-1 10:05:06

之前QPQ工艺（540~560 时间1.5~2h）处理后，此种材料表面会形成很薄的一层白亮层（大概2μm），但该白亮层是有害的，因为太薄，很容易抛光不均；而造成表面缺陷，甚至影响工件外观。在此种情况下，求助各位大神，有没有什么办法能解决抑制此白亮层生成的办法，（注：此材料基体硬度HV0.1 750左右，渗氮后距表面20μm处扩散层硬度HV0.1有1000左右）

ao66 · 发表于 2014-3-1 10:52:00

提高分解率，同时增加扩散阶段

zhu9wei · 发表于 2014-3-1 11:57:51

ao66 发表于 2014-3-1 10:52
提高分解率，同时增加扩散阶段

额~~我没懂你的意思~~

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[求助] SKH51材料（回火温度在550~570），QPQ工艺，如何避免白亮层的产生；