中频电炉功率上不去故障分析

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   设备工作正常，但功率上不去分析处理：设备工作正常，只能说明设备各部件完好。功率上不去说明设备各参数调整不合适，影响设备功率上不去的主要原因有： 1、炉体与电源不配套，严重影响功率输出 2、整流部分没调好，整流管未完全导通，直流电压没达到额定值，影响功率输出 3、中频炉输出回路的分布电感和谐振回路的附加电感过大，也影响最大功率输出 4、中频炉电压值调得过高过低，影响功率输出 5、截流、截压值调节得不当，使得功率输出低 6、补偿电容器配置得过多或过少，都得不到电效率和热效率最佳的功率输出，即得不到最佳的经济功率输出.
  中频电源板不带负载电感线圈检查实际就是一个空机的调试，调试进入到这以后应就是一些逆变元件（热电容、电感、水套等的普通绝缘检查及在机根据电感线圈逆变角度调整了）。

中频电源系统维护
系统维护分为三大部分：水路系统，机械系统和电气系统，重点是电气系统的维护。
实践证明：中频电源系统绝大多数故障的发生与水路有直接关系。因此，水路要求水质、水压、水温、流量务必达到设备规定要求。
电气系统的维护: 电气系统必须定期检修，由于主回路连接部分容易发热，从而引起打火，出现许多莫名故障
邢台；中频电炉(453141807)  11:32:00
可控硅两端为什么并联电阻和电容
一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率，它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一

中频炉加热功率上不去，可从以下两种情况来进行分析： 1、可控硅中频电炉装置低功率工作正常，功率升高时过流或过压保护动作，这种情况可对下述部位进行检查处理：
① 主电路可控硅元件是否老化，其电流，电压耐值下降；
② 主电路可控硅阻容吸收电路是否接触不良，有无损坏或断线；
③ 电抗器，负载感应器匝间绝缘是否良好；
④ 冷却水路有无堵塞，水温是否过高，水压是否过低；
⑤ 负载补偿电容器耐压是否下降；⑥ 控制系统抗干扰性能是否下降（尤其是可控硅触发电路），因为随中频功率上升时，干扰也会加大，过流或过压保护可能会误动作；⑦ 逆变电路触发引前脚是否太小，当电流上升时，换流不成功而使过流保护动作；
⑧ 主电路可控硅波形是否正常（整流电路输出是否缺相，逆变电路输出是否缺相）；
⑨ 主电路的对地绝缘是否下降；
⑩ 过流过压整定值有无变化。

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