3.2 实验方法 1. 将粗化后的试样分别重新加热到AC1AC3两相区温度之间(680~783℃且靠近AC3)两个温度,保温时间为3h,然后降到AC1(680℃)以下640℃,保温20h,再升温到奥氏体单相区850℃,保温3h,再降到AC1(680℃)以下600℃,保温1.5h。如表3.1所示的热处理工艺进行热处理,热处理工艺曲线如图3.1所示。 表3,1 编号及工艺参数 编号 | | A1 | A+700℃/3h+640℃/20h+850℃/3h+600℃/1.5h 空冷 | A2 | A+720℃/3h+640℃/20h+850℃/3h+600℃/1.5h 空冷 |
A为1100℃粗化预热处理后的试样,每组两个试样。
2. 将粗化后的试样重新加热到AC1AC3两相区温度之间(680~783℃且靠近AC1)700℃,保温时间为3h,然后分别降到AC1(680℃)以下640℃和660℃,保温20h,再升温到奥氏体单相区850℃,保温3h,再降到AC1(680℃)以下620℃,保温1.5h。如表3.2所示的热处理工艺进行热处理,热处理工艺曲线如图3.2所示。
表3,2 编号及工艺参数
编号 | | A3 | A+700℃/3h+640℃/20h+850℃/3h+620℃/1.5h 空冷 | A4 | A+700℃/3h+660℃/20h+850℃/3h+620℃/1.5h 空冷 |
3. 将粗化后的试样重新加热到AC1AC3两相区温度之间(680~783℃)720℃,保温时间为3h,然后降到AC1(680℃)以下660℃,保温20h,再升温到奥氏体单相区850℃,保温3h,再降到AC1(680℃)以下600℃和620℃,保温1.5h。如表3.3所示的热处理工艺进行热处理,热处理工艺曲线如图3.3所示。
表3,3 编号及工艺参数
编号 | | A5 | A+720℃/3h+660℃/20h+850℃/3h+600℃/1.5h 空冷 | A6 | A+720℃/3h+660℃/20h+850℃/3h+620℃/1.5h 空冷 |
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